［USA00ST］

Motorola의 MRAM 메모리 기술

Motorola는 무선 장치에서 사용되는 DRAM과 플래시 같은 범용 메모리를 대체할 수 있을 것으로 기대되는 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 아키텍처를 성공적으로 데모했다. 3V에서 동작하는 이 비휘발성 메모리는 어드레스 액세스 시간이 15ns 미만이며, 수 십억 회의 읽기/쓰기가 가능한 반영구적인 메모리이다. Motorola는 현재 이 메모리가 범용 시장의 요구를 충족시킬 수 있도록 집적도를 높이기 위해 연구를 계속할 것이다.

지난 2월 IEEE International Solid State Circuits Conference에서 발표된 이 아키텍처는 셀 크기를 줄이기 위해 하나의 트랜지스터 위에 MTJ(magnetic tunnel junction)를 통합한 구조로 되어 있다. MRAM은 비용을 상당히 절감하면서도, 선폭을 줄임으로써 더 높은 성능을 얻을 수 있다.

Motorola는 4월의 IEEE International Magnetic Conference에서 MRAM 칩이 0.6미크론 공정을 사용해 14ns의 어드레스 액세스 시간과 24ns의 사이클 타임을 성취했다고 발표했다. 최첨단 공정으로 이 설계를 제작하면 MRAM은 DRAM과 플래시 메모리를 대체할 수 있을 정도의 충분한 속도를 제공할 것이다.

Motorola는 MRAM을 내장형의 시스템온칩 소자로도 개발하고 있는데, 이 기술은 빠른 속도와 저전력 특성으로 인해 무선 어플리케이션, 오거나이저, 자동차 전자부품, 데스크탑/포터블 PC, 그리고 가전제품을 포함한 차세대 포터블 장치용 단일칩 솔루션을 가능케 할 것으로 보고 있다.

Motorola는 MTJ를 표준의 저비용 CMOS 회로와 통합하는 데 성공하였으며, MTJ기반의 재료 저항을 줄이면서 MTJ 셀로부터의 신호를 증가시킬 수 있었다. 현재 저항 레벨은 MRAM 메모리 아키텍처에 이상적이며 150mm 웨이퍼 전체적으로 파라미터의 값을 균일하게 얻을 수 있었다고 한다.